Publisher's Note: “Set statistics in conductive bridge random access memory device with Cu/HfO2/Pt structure” [Appl. Phys. Lett. 105 , 193501 (2014)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2015-04, Vol.106 (15)
Hauptverfasser:	Zhang, Meiyun, Long, Shibing, Wang, Guoming, Xu, Xiaoxin, Li, Yang, Liu, Qi, Lv, Hangbing, Lian, Xiaojuan, Miranda, Enrique, Suñé, Jordi, Liu, Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Hafnium oxide Memory devices Random access memory
Online-Zugang:	Volltext
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