Structural and optical properties of semi-polar (11-22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure

Semi-polar (11-22) InGaN multiple quantum well (MQW) green light-emitting diode (LED) structures have been realized by metal-organic chemical vapor deposition on an m-plane sapphire substrate. By introducing double GaN buffer layers, we improve the crystal quality of semi-polar (11-22) GaN significa...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2018-01, Vol.112 (5)
Hauptverfasser:	Zhao, Guijuan, Wang, Lianshan, Li, Huijie, Meng, Yulin, Li, Fangzheng, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Buffer layers Current injection Electroluminescence Emission Gallium nitrides Indium gallium nitrides Light emitting diodes Metalorganic chemical vapor deposition Optical properties Organic chemicals Organic chemistry Photoluminescence Quantum wells Sapphire Substrates
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!