Deep centers in undoped semi-insulating InP

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1998-10, Vol.27 (10), p.L68-L71
Hauptverfasser:	FANG, Z.-Q, LOOK, D. C, UCHIDA, M, KAINOSHO, K, ODA, O
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electron states Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Iii-v semiconductors Impurity and defect levels Low-field transport and mobility piezoresistance Physics
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