Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based laser diodes growth by raised-pressure metalorganic chemical vapor deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1999-03, Vol.28 (3), p.287
Hauptverfasser:	Yanashima, Katsunori, Hashimoto, Shigeki, Hino, Tomonori, Funato, Kenji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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