Effects of layer design on the performance of InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on GaAs substrates

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1997-12, Vol.26 (12), p.1417-1421
Hauptverfasser:	SHIRALAGI, K, SHEN, J, TSUI, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!