Improved reproducibility of AlGaInAs laser threshold by InP substrate deoxidation under phosphorous flux

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1997-05, Vol.26 (5), p.L9-L12
Hauptverfasser:	HARMAND, J. C, IDIART-ALHOR, E, MOISON, J. M, BARTHE, F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
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