Anti-phase domain-free growth of GaAs on offcut (001) Ge wafers by molecular beam epitaxy with suppressed Ge outdiffusion

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1998-07, Vol.27 (7), p.900-907
Hauptverfasser:	SIEG, R. M, RINGEL, S. A, TING, S. M, FITZGERALD, E. A, SACKS, R. N
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics
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