Highly anisotropic, ultra-smooth patterning of GaN/SiC by low energy electron enhanced etching in DC plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1997-03, Vol.26 (3), p.301-305
Hauptverfasser:	Gillis, H. P., Choutov, D. A., Martin, K. P., Bremser, M. D., Davis, R. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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