Erratum to: Enhancement of device performance by using quaternary capping over ternary capping in strain-coupled InAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 2017, Vol.123 (5), p.1-2, Article 362
Hauptverfasser:	Tongbram, B., Shetty, S., Ghadi, H., Adhikary, S., Chakrabarti, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Characterization and Evaluation of Materials Condensed Matter Physics Erratum Machines Manufacturing Nanotechnology Optical and Electronic Materials Physics Physics and Astronomy Processes Surfaces and Interfaces Thin Films
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!