Laser emission efficiency of semiconductor target of gas diode in the picosecond range

Laser radiation excited in a cadmiumsulfide semiconductor target (ST) (λ = 522 nm) by a high-intensity subnanosecond electron beam (EB) with an energy of 70–150 keV has a maximum intensity of 3 · 10 7 W/cm 2 at an efficiency of~10%. Lasing arose at the EB exciting pulse front. The laser radiation pu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Bulletin of the Lebedev Physics Institute 2017, Vol.44 (1), p.13-16
Hauptverfasser:	Nasibov, A. S., Berezhnoy, K. V., Bochkarev, M. B., Sadykova, A. G., Shunailov, S. A., Yalandin, M. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Lasers Physics Physics and Astronomy Pulse shape
Online-Zugang:	Volltext
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