Strain at Coalescence of Patterned (Al)GaN Nanorod Arrays Formed by Selective Area Growth for Optoelectronic Devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microscopy and microanalysis 2016-07, Vol.22 (S3), p.1530-1531
Hauptverfasser:	Pofelski, A., Woo, S.Y., Le, B.H., Liu, X., Zhao, S., Mi, Z., Botton, G.A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Coalescence Electrons Microscopy Microscopy for Thin Films of Metals, Semiconductors and Insulators Molecular beam epitaxy Physical Science Symposia Shear strain
Online-Zugang:	Volltext
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