0.2-[Formula Omitted] InP/GaAsSb DHBT Power Performance With 10 [Formula Omitted] and 25% PAE at 94 GHz

We report a 94-GHz large-signal load-pull characterization of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors. The investigated devices have an emitter area of [Formula Omitted]. Biased for highest power added efficiency (PAE), an output power of 6.62 [Formula Omitted] (11 dBm), a power gain of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2014-03, Vol.35 (3), p.321
Hauptverfasser:	Zaknoune, Mohammed, Okada, Etienne, Mairiaux, Estelle, Roelens, Yannick, Ducatteau, Damien, Frijlink, Peter, Rocchi, Marc, Maher, Hassan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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