PATTERNED LASER CRYSTALLIZATION OF a-Si

Thin films of amorphous Si on glass were crystallized by pulsed nano- and picosecond lasers. Two methods for creating the desired patterns of crystallized regions were used. In the former, the pattern is produced by a focused laser beam, and in the latter it is made using a prefabricated mask. The electric conductivity of crystallized films increases by more than 4 orders of magnitude in comparison with untreated amorphous films. Amorfa silīcija plānās kārtiņas uz stikla tika kristalizētas ar impulsu nanosekunžu un piko-sekunžu lāzeriem. Izmantotas divas metodes polikristāliska silīcija raksta iegūšanai. Pirmajā metodē raksts iegūts, pārvietojot fokusētu lāzera staru, bet otrajā metodē rakstu iegūst, paraugu apstarojot caur iepriekš izgatavotu masku. Iegūtā polikristāliskā silīcija vadāmība pieaug vairāk kā par 4 kārtām, salīdzinot ar neapstrādātu paraugu.