High-Performance [Formula Omitted] nMOSFETs With Source/Drain Junctions Formed by Gas-Phase Doping

We reveal that the MOVPE-based gas-phase doping can yield lower arsenic diffusion constant and lower leakage current [Formula Omitted] junctions in Ge compared with conventional ion-implantation doping. Thus, the gas-phase doping is quite effective for realizing high-performance Ge n-channel MOSFETs...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010-10, Vol.31 (10), p.1092
Hauptverfasser:	Morii, K, Iwasaki, T, Nakane, R, Takenaka, M, Takagi, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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