Design of High-Aspect-Ratio T-Gates on N-Polar GaN/AlGaN MIS-HEMTs for High [Formula Omitted]

This letter discusses the design of high-aspect-ratio T-gates on molecular beam epitaxy (MBE)-grown nitrogen-polar (N-polar) GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) for high power-gain cutoff frequency [Formula Omitted]. A 351-GHz [Formula Omitted] is d...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012-06, Vol.33 (6), p.785
Hauptverfasser:	Denninghoff, Daniel J, Dasgupta, Sansaptak, Lu, Jing, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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