High performance 0.14 [micro]m gate-length AlGaN/GaN power HEMTs on SiC

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-11, Vol.24 (11), p.677
Hauptverfasser:	Jessen, G.H, Fitch, R.C, Gillespie, J.K, Via, G.D, Moser, N.A, Yannuzzi, M.J, Crespo, A, Sewell, J.S, Dettmer, R.W, Jenkins, T.J, Davis, R.F, Yang, J, Khan, M.A, Binari, S.C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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