A 0.18-[micro]m 3.0-V 64-Mb nonvolatile phase-transition random access memory (PRAM)

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2005-01, Vol.40 (1), p.293
Hauptverfasser:	Cho, Woo Yeong, Cho, Beak-Hyung, Choi, Byung-Gil, Oh, Hyung-Rok, Kang, Sangbeom, Kim, Ki-Sung, Kim, Kyung-Hee, Kim, Du-Eung, Kwak, Choong-Keun, Byun, Hyun-Geun, Hwang, Youngnam, Ahn, S, Koh, Gwan-Hyeob, Jeong, Gitae, Jeong, Hongsik, Kim, Kinam
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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