Special reliability features for Hf-based high-[kappa] gate dielectrics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on device and materials reliability 2005-03, Vol.5 (1), p.36
Hauptverfasser:	Ma, T.P, Bu, H.M, Wang, X.W, Song, L.Y, He, W, Wang, Miaomiao, Tseng, H.-H, Tobin, P.J
Format:	Magazinearticle
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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