Improving the RF performance of 0.18 [micro]m CMOS with deep n-well implantation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2001-10, Vol.22 (10), p.481
Hauptverfasser: Su, Jiong-Guang, Hsu, Heng-Ming, Wong, Shyh-Chyi, Chang, Chun-Yen, Huang, Tiao-Yuan, Sun, Jack Yuan-Chen
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/55.954918