High yielding self-aligned contact process for a 0.150-[micro]m DRAM technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on semiconductor manufacturing 2002-05, Vol.15 (2), p.223
Hauptverfasser:	Rupp, T.S, Dobuzinsky, D, Sardesai, V.Y, Liu, Hang-Yip, Maldei, M, Faltermeier, J, Gambino, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!