An analytical method for determining intrinsic drainsource resistance of lightly doped drain (LDD) devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 1984, Vol.27 (1), p.89-96
Hauptverfasser:	CHARVAKA DUVUURY, BAGLEE, D, DUANE, M, HYSLOP, A, SMAYLING, M, MAEKAWA, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!