Flash-Lamp-Induced Crystal Growth of Silicon on Amorphous Substrates Using Artificial Surface-Relief Structures

Crystallization of amorphous silicon films deposited over surface‐relief structures etched into SiO2 layers is achieved by large area processing with incoherent light pulses of 10 ms duration. The structures are either gratings with a constant top width of 3 μm and bottoms with a width between 3 and 20 μm or otherwise shaped artificial surface‐relief micropatterns. The crystalline films are found to consist of very large crystallites, which are either separated from each other by grain boundaries or twinned to one another. Amorphe Siliziumfilme werden auf eine reliefartig strukturierte SiO2‐Schicht aufgebracht und mit inkohärentem Licht einer Impulsdauer von 10 ms bestrahlt. Die Strukturen sind entweder Gitter mit rechteckigem Profil einer constanten Stegbreite von 3 μm und variablen Grabenbreiten zwischen 3 und 20 μm oder andersartig geformten Mikrostrukturen. Es wird gefunden, daß die kristallinen Filme aus großen Kristallitblöcken, die entweder durch Korngrenzen getrennt oder untereinandr verzwillingt sind, bestehen.