Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing of Arsenic-Implanted Silicon

Arsenic‐implanted 〈100〉 Si (dose 1 × 1012 up to 5 × 1016 As/cm2, 100 keV) is annealed by flash lamp pulses of 10 ms duration. The irradiation results in maximum sample temperatures at the pulse end between 750 and 1350 °C. The dependence of sheet resistance, electrical activation, and charge carrier mobility on implanted dose and annealing conditions is shown. The diffusional broadening of the implanted profile due to the pulse heating is also investigated. Special features of the annealing behaviour of very high implantation doses are discussed. Arsen‐implantiertes 〈100〉 Si (Dosen von 1 × 1012 bis 5 × 1016 As/cm2, 100 keV) werden mittels Blitzlampenimpulsen von 10 ms Länge ausgeheilt. Die Bestrahlung ergibt maximale Probentemperaturen am Impulsende zwischen 750 und 1350 °C. Die Abhängigkeit des Schichtwiderstandes, der elektrischen Aktivierung und der Ladungsträgerbeweglichkeit von der implantierten Dosis und von den Ausheilbedingungen wird untersucht. Die durch die Impulserwärmung bewirkte Diffusionsverbreitung der implantierten Profile wird ebenfalls studiert. Besonderheiten der Ausheilung sehr hoher Implantationsdosen werden diskutiert.