X-ray determination of the surface compression force in the ion-doped layer in silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1983-08, Vol.78 (2), p.K105-K108, Article K105
Hauptverfasser:	Petrashen, P. V., Shulpina, I. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in iii-v and ii-vi semiconductors Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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