Threshold voltage behavior for WSi/AlxGa1-xAs/GaAs MIS-like heterostructure FET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1985, Vol.24 (8), p.L623-L625
Hauptverfasser:	ARAI, K, MIZUTANI, T, YANAGAWA, F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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