Resonant Raman Scattering in Ga1-xInxP Solid Solutions

Resonant Raman scattering is investigated around the fundamental edge E0 in Ga1—xInxP solid solutions. The strong enhancements of the “forbidden” LO‐like modes are explained by a Fröhlich intraband interaction and lead to replica of the first‐order spectra. The non‐homogeneous activation of the one‐phonon density of states and the unusual sharp enhancements of LA‐like modes are interpreted as due to structural disorder effects. Local chalcopyrite arrangements are suggested. Les résonances des spectres Raman des solutions solides Ga1—xInxP sont étudiées au voisinage du gap E0. Les fortes résonances des modes LO interdits s'expliquent par le couplage de Fröhlich intrabande et conduisent à des repliques des spectres du premier ordre. L'activation non homogène de la densité d'état à un phonon et la résonance inhabituelle des modes LA sont interprétées en termes de désordre structural. Des arrangements locaux du type chalcopyrite sont suggérés.