Variation of Switching Time of Silicon p-n-p-n Structures Irradiated by Fast Electrons

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1985-06, Vol.89 (2), p.K227-K230
Hauptverfasser:	Korshunov, F. P., Marchenko, I. G., Troshchinskii, V. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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