Effect of Chlorine Implantation on Phosphorus Predeposition in Silicon

Phosphorus predepositions are performed at 920 and 1000 °C on (100) silicon wafers, previously implanted with chlorine doses ranging from 5 × 1013 to 1 × 1016 cm−2. From the comparison with unimplanted specimens, it is observed that chlorine reduces the concentration of silicon interstitials produced by the doping process. This reduction results in a shallowing of the high diffusivity tail of the carrier profile and in preventing the formation of interstitial‐type dislocations. Bei 920 und 1000 °C werden an (100)‐Siliziumwafer, die zuvor mit Chlor im Dosisbereich von 5 × 1013 bis 1 × 1016 cm−2 implantiert wurden, Phosphorvorbelegungen durchgeführt. Aus dem Vergleich mit nichtimplantierten Proben wird beobachtet, daß Chlor die Konzentration von Si‐Zwischengitterstorstellen verringert, die durch den Dotierungsprozeß erzeugt werden. Diese Verringerung führt zu einer Erniedrigung des hohen Diffusionsausläufers im Ladungsträgerprofil und zur Vermeidung von Zwischengitterversetzungsbildung.