Transmission electron microscopy study of crystal defects in ZnSe/GaAs(001) epilayers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of physics. Condensed matter 2000-12, Vol.12 (49), p.10287-10293
Hauptverfasser: Lavagne, S, Levade, C, Vanderschaeve, G, Crestou, J, Tournié, E, Faurie, J P
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0953-8984
1361-648X
DOI:10.1088/0953-8984/12/49/330