A planarized SiO2 interlayer dielectric with bias-CVD

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1987-03, Vol.34 (3), p.615-620
Hauptverfasser:	MCINERNEY, E. J, AVANZINO, S. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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