Measurements of a free value of helical pitch in a thin sample of ferroelectric liquid crystal

To develop a standard method for measurement of helical pitches of chiral smectic C (SmC*) liquid crystalline material, well aligned samples of DOBAMBC of various thicknesses are studied by applying an electric field and then shorting (electrically) it at the temperature of measurements. The removal of the electric field reforms the helices which eventually eliminate the adjustment of new helices due to interlayer transverse displacement of the molecules. The shorting of the sample minimizes the possibility of constraints which may arise due to depolarizing field. The method in principle involves changes amongst chiral smectic and smectic phase (SmC* ↔ SmC) thus providing the free value of the pitch in samples with thickness as low as 50 μm which is independent of the previous history of the sample. Um eine Standardmethode zur Messung der Spiralsteigung von chiral‐smektischem C (SmC*), flüssigkristallinem Material zu entwickeln, wird eine gut ausgerichtete Probe von DOBAMBC unterschiedlicher Dicke durch Anlegen eines elektrischen Feldes und folgendem (elektrischen) Kurzschluß bei den Meßtemperaturen untersucht. Die Beseitigung des elektrischen Feldes formt die Spiralen um, was eventuell die Einstellung neuer Spiralen infolge der transversalen Zwischenschichtverlagerung der Moleküle verhindert. Das Kurzschließen der Probe minimiert die Einwirkungsmöglichkeiten, die von dem depolarisierendem Feld herrühren können. Im Prinzip schließt die Methode Änderungen zwischen chiral‐smektischer und smektischer Phase ein (SmC* ↔ SmC) und liefert somit den freien Wert der Steigung in Proben mit Dicken bis herab zu 50 μm, der unabhängig ist von der früheren Vorbehandlung der Probe.