Transport phenomena in amorphous silicon doped by ion implanted of 3d metals

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1986, Vol.95 (2), p.635-640
Hauptverfasser:	DVURECHENSKII, A. V, DRAVIN, V. A, RYAZANTSEV, I. A, ANTONENKO, A. K, LANDOCHKIN, I. G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Physics Thermoelectric and thermomagnetic effects
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