Kinetics of implantation enhanced interdiffusion of Ga and Al at GaAs-GaxAl1-xAs interfaces

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 1986-07, Vol.49 (4), p.223-225
Hauptverfasser: CIBERT, J, PETROFF, P. M, WERDER, D. J, PEARTON, S. J, GOSSARD, A. C, ENGLISH, J. H
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.97178