Photoluminescence excitation spectroscopy of In0.53Ga0.47As/InP multi-quantum-well heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1986-04, Vol.25 (4), p.558-562
Hauptverfasser:	KODAMA, K, KOMENO, J, HOSHINO, M, OZEKI, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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