Temperature dependence of the ionization coefficients of AlxGa1-xAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of quantum electronics 2000-10, Vol.36 (10), p.1168-1173
Hauptverfasser:	ZHENG, X. G, YUAN, P, SUN, X, KINSEY, G. S, HOLMES, A. L, STREETMAN, B. G, CAMPBELL, J. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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