Properties of AlxGa1-xAs (xAl~0.3) grown by molecular-beam epitaxy on misoriented substrates
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1986-03, Vol.59 (5), p.1508-1512 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-8979 1089-7550 |
DOI: | 10.1063/1.336456 |