Properties of AlxGa1-xAs (xAl~0.3) grown by molecular-beam epitaxy on misoriented substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1986-03, Vol.59 (5), p.1508-1512
Hauptverfasser: TSUI, R. K, CURLESS, J. A, KRAMER, G. D, PEFFLEY, M. S
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-8979
1089-7550
DOI:10.1063/1.336456