Characterisation of Ga1-xInxAs/Al1-yInyAs multiple quantum wells by Raman scattering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 1987-10, Vol.2 (10), p.683-686
Hauptverfasser: Davey, S T, Scott, E G, Wakefield, B, Davies, G J
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/2/10/010