Superconducting transition temperatures of V3Si films formed by reactive diffusion

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese journal of applied physics 1987-06, Vol.26 (6), p.969-970
Hauptverfasser: GOTO, T, TSURUMI, T, USAMI, K
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/jjap.26.969