On the influence of point defects in the LOCOS process

By means of high‐voltage electron microscopy (HVEM) the generation and development of crystal defects in p‐type (001)‐oriented Czochralski silicon wafers after the local oxidation process is investigated. In order to determine the influence of interstitial mechanisms on the formation and movement of defects the local oxidation process (LOCOS) is carried out without pad oxide insertion between Si3N4 and Si. Studying the shape of oxidation‐induced stacking faults in the HVEM, variations in the surface‐near self‐interstitial concentration can be detected, which should depend on the quality of the silicon–nitride interface. In addition, mechanisms of growth and propagation of perfect dislocation half‐loops formed by unfaulting of SFs are considered. Mittels Hochspannungs‐Elektronenmikroskopie (HVEM) wird die Bildung und Entwicklung von Kristalldefekten in p‐leitenden (001)‐orientierten Cz‐Siliziumscheiben nach lokalem Oxydationsprozeß (LOCOS‐Verfahren) untersucht. Um den Einfluß des Zwischengittermechanismus auf die Bildung und Bewegung der Defekte zu bestimmen, wird das LOCOS‐Verfahren ohne Einbau eines “pad”‐Oxids zwischen Si3Ni4 und Si durchgeführt. Bei der Untersuchung der Form der oxydations‐induzierten Stapelfehler im HVEM, werden Änderungen der Oberflächenkonzentration von Si‐Zwischengitteratomen gefunden, die von der Qualität der Silizium–Nitrid‐Grenzflähe abhängen könnten. Zusätzlich werden die Mechanismen des Wachstums und der Ausbreitung von perfekten Versetzungs‐Halbschleifen berücksichtigt, die durch Abscherung der Stapelfehler gebildet werden.