Recrystallization of Ge on SiO2 using SrF2 seed by pseudo-line electron beam annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1987-07, Vol.26 (7), p.L1135-L1137
Hauptverfasser:	YAMAGISHI, C, KIMURA, T, AKIYAMA, M, KAMINISHI, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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