Electronic conduction and tunneling in Ta-oxide and Sn-oxide thick films

Electrical resistivity and its temperature coefficient are measured for a large number of Ta‐oxide and Sn‐oxide thick films in the temperature range 80 to 400 K. These results, along with the measurement of other physical properties, are used to explain the behavior of electronic conduction in these metal oxide thick films. From this study, the importance of tunneling and hopping in these thick films is ascertained. Der elektrische Widerstand und sein Temperaturkoeffizient werden für eine große Zahl von Ta‐Oxid‐ und Sn‐Oxid‐Dickschichten im Temperaturbereich von 80 bis 400 K gemessen. Diese Ergebnisse, zusammen mit den Messungen anderer physikalischer Eigenschaften, werden benutzt, um das Verhalten der elektrischen Leitfähigkeit in diesen Metalloxid‐Dickschichten zu erklären. Aus dieser Untersuchung wird die Bedeutung von Tunneling und Hopping in diesen Dickschichten festgestellt.