Ellipsometric studies of natural films on GaAs

Ellipsometric angles Δ and ψ of about 20 samples of GaAs single‐crystals with natural thin films are studied for several angles of incidence at room temperature within several years period at λ = 632.8 nm. Δ and ψ are used to determine the optical constants n and k of GaAs and the thickuess and refractive index of thin surface film. Also are studied the changes of Δ and ψ with temperature during several consecutive heating‐cooling cycles for two samples in the range from 20 to 201 °C. The experimental results are interpreted in terms of the temperature coefficients dn/dT and dk/dT of GaAs and desorption and adsorption of gases and vapours from and on sample surface. Die ellipsometrischen Winkel Δ und ψ von etwa 20 einkristallinen GaAs‐Proben mit dünnen natürlichen Oberflächenschichten werden im Zeitintervall von einigen Jahren für mehrerer Einfallwinkel bei Zimmertemperatur für λ = 632,8 nm untersucht. Δ und ψ werden für die Bestimmung der optischen Konstanten n und k von GaAs und für den Brechungsindex und die Dicke der Oberflächenschichten benutzt. Die Änderungen von Δ und ψ während nachfolgender Temperungszyklen werden für zwei Proben im Temperaturbereich 20 bis 201 °C gemessen. Die experimentellen Ergebnisse werden für die Festlegung der Temperaturkoeffizienten dn/dT und dk/dT von GaAs und für die Untersuchung der Desorption und Adsorption von Gasen und Dämpfen von der und an die Oberfläche von GaAs benutzt.