Realization of high mobility in inverted AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 1988-06, Vol.52 (24), p.2037-2039
Hauptverfasser: CHO, N. M, KIM, D. J, MADHUKAR, A, NEWMAN, P. G, SMITH, D. D, AUCOIN, T, IAFRATE, G. J
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.99574