Schottky and field-effect transistor fabrication on InP and GalnAs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1988, Vol.52 (7), p.540-542
Hauptverfasser:	LOUALICHE, S, L'HARIDON, H, LE CORRE, A, LECROSNIER, D, SALVI, M, FAVENNEC, P. N
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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