On the influence of a buffer layer on the emissive properties of epitaxial layers in InGaAsP (λ = 1.1. μm)
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1988-10, Vol.109 (2), p.K153-K156 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | |
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ISSN: | 0031-8965 1521-396X |
DOI: | 10.1002/pssa.2211090248 |