On the influence of a buffer layer on the emissive properties of epitaxial layers in InGaAsP (λ = 1.1. μm)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1988-10, Vol.109 (2), p.K153-K156
Hauptverfasser: Bezhan, N. P., Kulikova, O. V., Kulyuk, L. L., Radautsan, S. I., Siminel, A. V., Strumban, E. E., Shulga, L. I., Chumak, V. A.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2211090248