Growth of SiO2 thin film by selective excitation photo-CVD using 123.6 nm VUV light

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1988-11, Vol.27 (11), p.L2152-L2154
Hauptverfasser:	INOUE, K, OKUYAMA, M, HAMAKAWA, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface and interface dynamics and vibrations Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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