Growth of SiO2 thin film by selective excitation photo-CVD using 123.6 nm VUV light
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Japanese journal of applied physics 1988-11, Vol.27 (11), p.L2152-L2154 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | |
---|---|
ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/jjap.27.l2152 |