Comments on A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities. I: One-dimensional model. Reply

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1988, Vol.35 (11), p.1995-1997
Hauptverfasser:	LIOU, J. J, REIN, H.-M, SCHRÖTER, M, STÜBING, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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