The effect of a valence-band offset on barrier formation in graded Hg1-xTe heterojunctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1988, Vol.64 (11), p.6373-6378
Hauptverfasser: MADARASZ, F. L, SZMULOWICZ, F
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-8979
1089-7550