Vibrational Spectra and Phase Transitions in Layered Semiconducting Ferroelectrics with TlGaSe2 Structure. I. Temperature Dependences of Parameters of the Raman Spectrum Lines of TlGaSe2

Raman spectra of TlGaSe2 single crystals are obtained in the temperature range 85< T < 300 K, which includes the phase transition points. Fitting of the spectra, using the model of additive damped oscillators and a relaxator, yields quantitative information on parameters of the lines. No critical rise of the relaxation time is detected near phase transitions. On the other hand, the strength of the relaxator experiences an approximately twofold increase. An anomalous behavior of parameters of the lines is observed near phase transitions, which is thought to be associated with ordering processes. The lowest‐frequency lines in the 15 cm−1 region are interpreted as the lines which correspond to rigid‐layer modes. Es werden Raman‐Spektren von TlGaSe2 Einkristallen beobachtet, die im Temperaturbereich 85 K < T < 300 K einen Phasenübergang aufweisen. Quantitative Informationen über die Linienparameter werden durch Superposition von gedämpften Oszillatoren und einem Relaxationsterm erhalten. Ein kristischer Anstieg der Relaxationszeit nahe dem Phasenübergang kann nicht entdeckt werden. Andererseits nimmt der Relaxationsterm um den Faktor 2 zu. Das anormale Verhalten der Linienparameter, welches beim Phasenübergang beobachtet wird, kann durch Ordnungsprozesse erklärt werden. Die Linien mit sehr niedriger Frequenz bei 15 cm−1 können als Moden starrer Schichten interpretiert werden.